DEME TFSI——下一代电子存储器的节能潜力

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科学家们在《自然》杂志上发表DEME-TFSI重要应用，发现通过注入或掺杂电子来可逆改变二维材料的原子结构的方法。这个过程比目前的方法使用的能量要少得多，以改变材料结构的结构。

“我们第一次表明，有可能通过注入电子来驱动材料中的结构相变，”研究的主要研究者向张、伯克利实验室材料科学系的高级教员、加州大学伯克利分校的教授说。通过在物质中加入电子，总能量上升并使平衡失去平衡，从而使原子结构重新排列成一种更稳定的新模式。这种电子掺杂驱动的二维极限结构相变不仅在基础物理中很重要，而且在下一代超薄器件中也为新的电子存储器和低功率开关打开了大门。

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