不同 ATO 掺量对 SiO2/ATO-SiO2 疏水型抗静电增透膜性能的影响与LI1016-EA

防静电薄膜因为具有一定的导电能力能够将集聚在玻璃表面的静电导出,按照方块电阻的大小,把方块电阻在10^5~10^12Ω/m范围内的材料称为抗静电材料,下图是不同ATO（也可以用我们公司的胶用光学抗静电剂LI1016-EA添加量（％wt）为0.3-2时方阻为107-1010）
掺量的薄膜表面方块电阻,由图5可知,疏水型抗静电薄膜的表面方块电阻均在10^6Ω/m数量级以下，具有较好抗静电能力。并且随着ATO掺量增加,薄膜表面方块电阻先降低,然后迅速升高。

当ATO掺量较少时,由于硅溶胶中SiO,基团的存在,SnO,是以镶嵌的形式掺杂在SiO,网格中,这种形式抑制了ATO颗粒的长大,并使ATO连接程度下降,在溶胶内ATO粒子分散,将溶胶镀覆于玻璃上后ATO颗粒互相独立,不能形成导电通路,所以薄膜表面电阻较大。随着ATO掺杂量的增加薄膜方块电阻先下降.在ATO掺量为15%时达到最低为1.35× 10^5Ω/m。但是当ATO继续增加,薄膜电阻产生突变,迅速升高。产生突变的原因如下:一方面,HMDS为低表面能改性物质,ATO颗粒相对于疏水改性的硅溶胶具有较高的表面能,所以在热处理固化时薄膜易产生结构缺陷从而导致薄膜导电性能不能提高,电阻增加。另一方面,SnO2掺入量过大,可能会破坏薄膜表面致密性和均匀性,使薄膜表面电阳升高