采用Zn0.9Mg0.1O和Zn0.95Mg0.05O纳米晶作为ETL，还实现了其他高效的红色QLED。器件中的电荷平衡源于金属离子掺杂引起的较大电子注入势垒，导致电子迁移率降低。或者，迫切需要提出一种在不牺牲电子迁移率的情况下显著提高空穴迁移率的方法，以实现稳定高效的QLED；开发加工简单的QLED类型，不包括绝缘和超薄功能层，以实现QLED的经济高效和高通量解决方案制造。由于电子和空穴注入、俄歇复合以及金属离子扩散和迁移的不平衡速率，胶体QLED的EQE适中，使用寿命有限。大多数工作都致力于电子注入层的改性和界面工程，以获得更好的QLED，而最近的几项工作则侧重于空穴注入层的改性。
