三氟化硼：三氟化硼有毒，有些特征污染物的危害易被忽视，例如，集成电路芯片生产企业使用的主要原辅料有数十种，生产中使用或产生硅烷、砷烷、磷烷、三氟化硼等多种剧毒、高毒气体，目前尚无排放标准和监测技术规范，也没有相关规定和要求，存在环境监测和日常监管空白。
LiODFB的制备，最初以LiBF4、CH(CF3)20Li和H2C204为 原料，以碳酸酯或乙腈(AN)等极性非质子溶液为反应介质，所得产物的纯度较低。核磁共振表明，未反应的LiBF4的含量高达15％以上。改进的方法为：在低温下以碳酸酯或AN为溶剂，在反应助剂A1CI，或SiCl。的作用下，使H2C204与LiBF4直接反应，生成LiODFB。改进后所得产物的纯度有大幅提高，未反应的LiBF4的含量降至约0．5％。该反应的温度过低(一50 ℃)，导致制备成本较高。
为克服这些缺点，将BF3·O(CH2CH3)2与Li2C204 在DMC中反应，制备了纯度较高的LiODFB。所得LiODFB粗产品用DMC或其他非质子溶剂进行重结晶。一次重结晶 后，达到了锂离子电池用电解质锂盐的要求。该方法在制备条件上表现出极大的优越性，已成为LiODFB的通用制法，但原料三氟化硼乙醚溶液具有强烈的刺激性和强烈腐蚀性，遇明火燃烧，对工作人员健康和环境带来危害，对设备的耐蚀性能 具有较高的要求，投资成本大。
近几年中国也提出了多种制备LiODFB的改进方法，但这些方法中部分仍采用三氟化硼乙醚或有毒的三氟化硼为原料，而且合成条件苛刻，遇水极易生成强腐蚀性有毒气体HF或中间产物中生成有HF 气体。 因此，目前寻求一种操作既简单又安全的适合工业化生产的合成高纯LiODFB的方法是关键。
