LiTFSI-DMU电导率与温度的关系

下图给出了LiTFSI-DMU体系的电导率与温度的关系．曲线a表示n(LiTFSI):n(DMU)=l∶2，室温电导率为9.71×10-6S/cm，50 C电导率为1.26×10-4S/cm;曲线b表示n(LiTFSI):n(DMU)=1:3，50 C电导率为3.5×10-4S/cm，而室温时为固体，电阻太大，目前其阻抗谱无法测定﹔曲线c表示n(LiTFSI):n(DMU)=1 ∶4.a的电导率与温度关系也符合VTF方程，其导电活化能E=3.52 kJ/mol，比 LiTFSI-NMU体系高．因而LiTFSI-DMU体系的电导率比LiTFSI-NMU体系在相同条件下的电导率低.LiTFSI 与尿素、NMU和DMU形成的低共熔化合物，电导率与温度的关系都符合VTF方程．但随着脲上取代基的增加，与锂离子形成的配位阳离子增大，离子迁移速率降低﹔同时体系的导电活化能增大，因而LiTFSI-DMU体系的电导率最低.